Current - Reverse Leakage @ Vr:
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
Reverse Recovery Time (trr):
Operating Temperature - Junction:
Capacitance @ Vr, F:
Изображение Деталь Производитель Описание Мин. заказ Наличие Действие
VS-4EGU06-M3/5BT Vishay Dale Thin Film
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
1
RFQ
50,173
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
VS-4ECU06-M3/9AT Vishay Dale Thin Film
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
1
RFQ
42,804
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
VS-4EGH06-M3/5BT Vishay Dale Thin Film
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
SF45G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
SF46G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
SF45GH Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
SF46GH Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену Купить сейчас
SF45G A0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF45GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF46G A0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF46GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF45G B0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF45GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 300V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF46G B0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
SF46GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
1
RFQ
8,500
В наличии
Запросить цену
1 / 1 Page, 15 Records