GE12047BCA3

Артикул производителя:
GE12047BCA3
Производитель/Бренд:
GE Aerospace
Краткое описание:
1200V 475A SiC Dual Module
Технические данные:
Соответствие RoHS:
Без свинца/Соответствует стандарту RoHS
Условия наличия:
8,500
Отправка из:
Гонконг
Способ доставки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Запрос цены (RFQ)

Поля с * обязательны “Форма запроса” Свяжемся с вами в ближайшее время Email: sales@xbdtech.net
* Артикул
* Производитель
* Требуемое количество
Цель (USD)
* Название компании
* Контакт
* Эл. почта
* Телефон
Сообщение
Производитель :
GE Aerospace
Категория товара :
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
475A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
FET Type :
2 Independent
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1248nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
29300pF @ 600V
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (Tc)
Package / Case :
Module
Power - Max :
1250W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4mOhm @ 475A, 20V
Supplier Device Package :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
4.5V @ 160mA
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:
Вакуумная упаковка с PL
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 2:
Антистатический пакет
Шаг 1:<br>Вакуумная упаковка с PL
Шаг 3:
Упаковочные коробки

Международные службы доставки

TNT Express: глобальная экспресс-доставка

Международная доставка вовремя

DHL Express: мировой лидер

UPS: крупнейшая логистическая компания
FedEx: международные услуги
Банковский перевод (TT)
HSBC: международные банковские услуги
PayPal: безопасные онлайн-платежи
Western Union: денежные переводы
Кол-во Цена за шт. (USD) Общая сумма (USD)
1 1077 1077
10 1023.15 10231.5
100 1012.38 101238
1000 969.3 969300
10000 958.53 9585300

Почему мы?

  • 50+ млн позиций
  • Оригинальные товары
  • 365 дней гарантии
  • Доставка по всему миру

Товары на складе отгружаются сегодня

Рекомендуемые товары